摘要
无线充电技术作为一种新兴的能量传输方式，近年来在消费电子、电动汽车、医疗设备等领域得到了广泛关注和快速发展。
碳化硅（SiC）MOSFET凭借其优异的性能，如高开关频率、低导通损耗和高温工作能力，成为了无线充电系统中功率变换器件的理想选择。
然而，SiCMOSFET的驱动过程复杂，需要设计专门的驱动电路以充分发挥其性能优势。
本文首先介绍了无线充电技术和碳化硅MOSFET的基本原理，然后重点综述了无线充电用碳化硅MOSFET驱动电路的研究现状，分析了不同驱动电路的优缺点和适用范围。
此外，本文还讨论了SiCMOSFET驱动电路的关键设计挑战，如栅极电压、驱动电流、开关损耗和电磁干扰等，并介绍了一些解决方案和优化方法。
最后，对无线充电用碳化硅MOSFET驱动电路的未来发展趋势进行了展望。
关键词：无线充电；碳化硅MOSFET；驱动电路；栅极驱动；功率变换器
无线充电技术利用电磁场实现能量的无线传输，具有安全、便捷、无接触等优点，近年来在消费电子、电动汽车、医疗设备等领域得到了越来越广泛的应用[1-3]。
无线充电系统通常由发射端和接收端组成，发射端将电能转换为电磁场，接收端则将电磁场转换为电能供负载使用。
在无线充电系统中，功率变换器件是实现能量高效传输的关键部件之一。
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