文献综述
3.1 国内外研究现状
在OLED微显示器技术领域国外起步早于国内，拥有众多大体量公司和大量科研机构。如eMagin公司、英国MED公司，法国MicroOLED公司等[2]。其中，eMagin是全球首家商用AMOLED屏幕供应商，成立于2000年，于2001年发布了第一块硅基OLED显示器。目前该公司已推出第三代的OLED微显示器，分辨率提升到2K*2K，像素点距为9.3um，用于VR显示器设备中，不仅具有非常高的显示质量，而且具有高对比度、宽色域等优良的光学性能。，日本的九州大学和韩国的汉阳大学主要对硅基OLED微显示器的像素驱动电路进行研究[3-4]，在2017年，九州大学提出了一种像素驱动电路可以补偿驱动管阈值电压漂移，它由4个PMOS管和2个电容构成，采用0.18mu;m工艺，像素尺寸为7.8mu;mtimes;2.6mu;m；在2010年，汉阳大学提出了一个由2个PMOS管和一个电容构成的像素驱动电路实现小电流驱动，采用0.35mu;m工艺，像素尺寸为12.6mu;mtimes;4.2mu;m。
国内对硅基OLED微显示器的研究比较晚，且研究机构和公司不是很多。目前云南北方奥雷德光电科技股份有限公司和合肥视涯显示科技有限公司有研发生产硅基OLED微显示器，研究机构主要有吉林大学、上海大学、中科院微电子所等对硅基OLED微显示器的像素驱动电路和外围驱动电路进行研究。云南北方奥雷德公司主要是致力于AMOLED微显示器的开发，目前云南北方奥雷德公司的最低像素尺寸可以达到11.1mu;mtimes;11.1mu;m，正逐渐靠近着世界行业的先进水平。
3.2 OLED器件工作原理[5-7]
本小节将从OLED器件发光原理和器件结构两方面来阐明OLED器件的工作原理。
图 3-1 （a）电子和空穴注入 （b）电荷传递（c）电子、空穴复合[4]
OLED有机发光二极管是利用半导体掺杂杂质后形成的PN结进行发光的。在PN结中，施主杂质会引入电子，电子与半导体中的空穴复合，跃迁到能级更低的能带上，在这个过程中产生光子，进而发光。
从OLED器件的发展历程来看，OLED器件经历了单层结构、双层结构、三层及多层结构三个阶段。在结构不断改进的过程中，OLED器件的寿命和发光效率也在不断提高，最终走向应用阶段。下面以顶部发光型OLED为例，介绍不同结构OLED器件的特点。
